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濕制成-蝕刻設(shè)備
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  • 蝕刻Etcher設(shè)備-晶圓

蝕刻Etcher設(shè)備-晶圓

產(chǎn)品時間:2023-07-01 09:33:57

簡要描述:

目的:進行晶圓蝕刻和清潔工藝適用:6、8、12寸晶圓UPH:38PCS(雙腔,加工時間180秒)腔體類型:單晶片伯努利旋轉(zhuǎn)加工腔體Load/Unload:open cassette or FoupCHUCK:伯努利和邊緣夾持旋轉(zhuǎn)卡盤設(shè)備控制:觸控式IPC+PLC加工能力:均勻性<5%100級室內(nèi)環(huán)境晶片上沒有水印痕跡Wafer背邊DI沖洗功能Thin Wafer 破損率 <1000PPM

詳細介紹

目的:進行晶圓蝕刻和清潔工藝

適用:6、8、12寸晶圓

UPH:38PCS(雙腔,加工時間180秒)

腔體類型:單晶片伯努利旋轉(zhuǎn)加工腔體

Load/Unload:open cassette or Foup

CHUCK:伯努利和邊緣夾持旋轉(zhuǎn)卡盤

設(shè)備控制:觸控式IPC+PLC


加工能力:

  • 均勻性<5%

  • 100級室內(nèi)環(huán)境

  • 晶片上沒有水印痕跡

  • Wafer背邊DI沖洗功能

  • Thin Wafer 破損率 <1000PPM

 


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